SOP Advance(E)パッケージを採用し、オン抵抗を低減した産業用機器向けNチャネルパワーMOSFET

データセンターや通信基地局などの産業用機器向けスイッチング電源に適した製品として、新パッケージSOP Advance(E)を採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPM1R908QM」、150V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPM7R10CQ5」を製品化しました。

SOP Advance(E)は、従来パッケージSOP Advance(N)と比較して、パッケージ抵抗を約65％、熱抵抗を約15％低減しました。80V耐圧品は従来同耐圧製品TPH2R408QM[注１]と比較し、ドレイン・ソース間オン抵抗を約21%低減し、チャネル・ケース間熱抵抗を15％低減しています。同様に150V耐圧品の従来同耐圧製品TPH9R00CQ5[注１]と比較し、ドレイン・ソース間オン抵抗を約21%低減し、チャネル・ケース間熱抵抗を約15％低減しています。
これらのことから、オン抵抗そのものの低減とともに熱抵抗低減により温度上昇が抑えられるため、正の温度特性を持つオン抵抗も低減できることになり、産業用機器のスイッチング電源などの低損失化、高効率化に貢献します。

また回路設計のサポートツールとして、短時間で回路動作が検証できるSPICEモデル (G0モデル) に加え、パワーデバイスの過渡特性をより正確にシミュレーションできる高精度SPICEモデル (G2モデル) も提供します。

今後も、電源の効率を高めることができるパワーMOSFETのラインアップ拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢献します。
[注1]SOP Advance(N)パッケージ品

（特に指定のない限り、Ta=25°C）

品番				TPM1R908QM	TPM7R10CQ5
絶対最大定格	ドレイン・ソース間電圧 V DSS（V）			80	150
	ドレイン電流（DC）ID（A）	Tc=25°C		238	120
	チャネル温度Tch（℃）			175	175
熱抵抗特性	チャネル・ケース間熱抵抗 R_{th（ch-c）（}°C/W）	TC=25℃	Max	0.6	0.6
電気的特性	ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS（ON）（mΩ）	V_GS=10V	Max	1.9	7.1
		V_GS=8V	Max	-	8.7
		V_GS=6V	Max	2.8	-
	ゲート入力電荷量 Qg（nC）	VGS=10V	Typ.	108	57
	ゲートスイッチ電荷量 Qg（nC）			35	18
	出力電荷量Qoss（nC）		Typ.	111	106
	入力容量Ciss（pF）		Typ.	7360	4390
	逆回復時間trr（ns）		Typ.	57	45
	逆回復電荷Qrr（nC）		Typ.	71	43
パッケージ	名称			SOP Advance(E)
パッケージ	サイズ（mm）		Typ.	4.9 × 6.1

電子デバイス部門

製品説明

特長の解説

オン抵抗RDS(ON)を従来同耐圧類似別パッケージ品より約21%低減

チャネル・ケース間熱抵抗 Rth(ch-c)を当社従来製品より約15%低減

有力アプリケーション

新製品の主な仕様