産業用機器の低損失化に貢献する第3世代SiC MOSFET

特長

SBDを内蔵し、低い逆導通VDSF特性を実現しオン抵抗RDS (ON) の変動を抑制

第3世代SiC MOSFETでは、逆導通時の順方向電圧VDSFを1.35V (typ.) に低減、また、SBDに通電させることで、SiC結晶中の欠陥が広がることで起こるドレイン・ソース間のオン抵抗RDS (ON)の変動を抑制しました。

導通損失とスイッチング損失の関係を示す性能指数RDS (ON)×Qgdを低減

第3世代品は、セル構造を最適化したことにより、第2世代品と比べて、R_{DS (ON)}×Q_gdを80%低減[注]

測定条件
RDS (ON): VGS=18V、ID=20A、Ta=25°C
Qgd: VDD=800V, VGS=18V、ID=20A、Ta=25°C
（2022年5月、東芝デバイス＆ストレージ株式会社比）

アプリケーション

• 産業モーター
• AC-DC / DC-DC コンバーター
• PFC回路
• エナジーストレージシステム
• 太陽光インバーター
• 無停電電源装置（UPS）
• バッテリーチャージャー

製品ラインアップ（VDSS=650V / 1200V）