Electronic Devices Dept

電子デバイス部門

産業用機器の高効率化・小型化に貢献するSiC MOSFETモジュールのラインアップ拡充

特長

  • ドレイン・ソース間オン電圧(センス端子)が0.8V~0.9V(typ.)で、電力損失を低減。
  • ターンオン/オフ損失が13~28mJ(typ.)で、高効率な動作を実現。
  • MG400Q2YMS3は寄生インダクタンス12nH(typ.)で、サージ電圧を抑制し高速スイッチングに対応。
  • 一般的なSi IGBTモジュールと同パッケージで、既存システムへの導入が容易。
  • MG600Q2YMS3およびMG400V2YMS3にサーミスターを内蔵し、温度管理を強化。
sic-power-devices
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産業用機器向けに第3世代シリコンカーバイド(SiC)MOSFETチップを搭載した1200Vおよび1700V耐圧のSiC MOSFETモジュールを製品化し、ラインアップを拡充しました。
これにより、2-153A1AパッケージのSiC MOSFETモジュールは、MG600Q2YMS3(1200V / 600A)、MG400Q2YMS3(1200V / 400A)、MG400V2YMS3(1700V / 400A)、MG250V2YMS3(1700V / 250A)、MG250YD2YMS3(2200V / 250A)の5製品で構成されます。
これらのモジュールは、低損失特性と高速スイッチング性能を特徴とし、鉄道車両、再生可能エネルギー発電システム、産業用モーター制御機器などの高効率化・小型化に貢献します。

主な製品は以下の通りです。

MG600Q2YMS3(1200V / 600A):低オン電圧と低スイッチング損失を実現。


MG400Q2YMS3(1200V / 400A):高周波絶縁DC-DCコンバーターに最適な低寄生インダクタンス。


MG400V2YMS3(1700V / 400A):一般的なSi IGBTモジュールと取り付け互換。

応用機器

  • 産業用機器
  • 鉄道車両向けインバーター・コンバーターおよび補助電源
  • 再生可能エネルギー発電システム
  • 産業用モーター制御機器
  • 高周波絶縁DC-DCコンバーターなど

主な仕様

(特に指定のない限り、@TC=25℃)

品番 MG400Q2YMS3
絶対
最大定格
当社パッケージ名称
2-153A1A
ドレイン・ソース間電圧 VDSS(V)
1200
ゲート・ソース間電圧 VGSS(V)
+25/-10
ドレイン電流(DC)ID(A)
400
ドレイン電流(パルス)IDP(A)
800
チャネル温度TCh(℃)
150
絶縁耐圧Visol(Vrms)
4000
電気的
特性
ドレイン・ソース間オン電圧(センス端子)VDS(ON)sense(V) ID=400A、VGS=+20V、Tch=25℃ Typ. 0.9
ソース・ドレイン間オン電圧(センス端子)VSD(ON)sense(V) IS=400A、VGS=+20V、Tch=25℃ Typ. 0.8
ソース・ドレイン間オフ電圧(センス端子)VSD(Off)sense(V) IS=400A、VGS=-6V、Tch=25℃ Typ. 1.6
ターンオンスイッチング損失EON(mJ) VDD=600V、ID=400A、TCh=150℃ Typ. 13
ターンオフスイッチング損失EOff(mJ) Typ. 13
寄生インダク
タンス
LsPN(nH) Typ. 12
LsPN P端子-N端子間 - 12 - nH
サーミスター
定格抵抗
R TC=25℃ 3.5 5.0 6.5
TC=150℃ 125 165 205 Ω
サーミスター
B定数
B TNTC=25~150℃ - 3375 - K

(特に指定のない限り、@TC=25℃)

品番 MG600Q2YMS3
絶対
最大定格
東芝パッケージ名称 2-153A1A
ドレイン・ソース間電圧 VDSS(V) 1200
ゲート・ソース間電圧 VGSS(V) +25/-10
ドレイン電流(DC)ID(A) 600
ドレイン電流(パルス)IDP(A) 1200
チャネル温度TCh(℃) 150
絶縁耐圧Visol(Vrms) 4000
電気的
特性
ドレイン・ソース間オン電圧(センス端子)VDS(ON)sense typ.(V) @VGS=+20V、TCh=25℃ 0.9@ID=600A
ソース・ドレイン間オン電圧(センス端子)VSD(ON)sense typ.(V) @VGS=+20V、Tch=25℃ 0.8@Is=600A
ソース・ドレイン間オフ電圧(センス端子)VSD(Off)sense typ.(V) @VGS=-6V、TCh=25℃ 1.6@Is=600A
ターンオンスイッチング損失EON typ.(mJ) @Tch=150℃ 25@VDS=600V、
ID=600A

ターンオフスイッチング損失EOff typ.(mJ) @Tch=150℃ 28@VDS=600V、
ID=600A

寄生インダク
タンス
LsPN P端子-N端子間 - 12 - nH
サーミスター
定格抵抗
R TC=25℃ 3.5 5.0 6.5
TC=150℃ 125 165 205 Ω
サーミスター
B定数
B TNTC=25~150℃ - 3375 - K
サーミスター
特性
サーミスター定格抵抗 R typ.(KΩ) 5.0
サーミスターB定数 B typ.(K) @TNTC=25~150℃ 3375

(特に指定のない限り、@TC=25℃)

品番 MG400V2YMS3
絶対
最大定格
東芝パッケージ名称 2-153A1A
ドレイン・ソース間電圧 VDSS(V) 1700
ゲート・ソース間電圧 VGSS(V) +25/-10
ドレイン電流(DC)ID(A) 400
ドレイン電流(パルス)IDP(A) 800
チャネル温度TCh(℃) 150
絶縁耐圧Visol(Vrms) 4000
電気的
特性
ドレイン・ソース間オン電圧(センス端子)VDS(ON)sense typ.(V) @VGS=+20V、TCh=25℃ 0.8@ID=400A
ソース・ドレイン間オン電圧(センス端子)VSD(ON)sense typ.(V) @VGS=+20V、Tch=25℃ 0.8@Is=400A
ソース・ドレイン間オフ電圧(センス端子)VSD(Off)sense typ.(V) @VGS=-6V、TCh=25℃ 1.6@Is=400A
ターンオンスイッチング損失EON typ.(mJ) @Tch=150℃ 28@VDS=900V、
ID=400A
ターンオフスイッチング損失EOff typ.(mJ) @Tch=150℃ 27@VDS=900V、
ID=400A
寄生インダク
タンス
LsPN P端子-N端子間 - 12 - nH
サーミスター
定格抵抗
R TC=25℃ 3.5 5.0 6.5
TC=150℃ 125 165 205 Ω
サーミスター
B定数
B TNTC=25~150℃ - 3375 - K
サーミスター
特性
サーミスター定格抵抗 R typ.(KΩ) 5.0
サーミスターB定数 B typ.(K) @TNTC=25~150℃ 3375